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Web 结果2024年1月10日 高纯SiC粉料合成方法. 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有： CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。 其 半导体高纯碳化硅(SiC)粉料的合成方法及工艺探究的详解；Web 结果2024年1月10日 高纯SiC粉料合成方法. 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有： CVD法和改进的自蔓延合成法（又称为高温合成法或燃烧法）。 其
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Web 结果2017年12月5日 将干燥后的碳化硅粉料分组各自用 玛瑙研钵研磨好，过80 目筛、称重备用。 坯体成型：采用轴向加压的干压成型方式，然后冷等静压制备碳化硅陶瓷的 自蔓延合成 β-SiC 粉制备碳化硅陶瓷Web 结果2017年12月5日 将干燥后的碳化硅粉料分组各自用 玛瑙研钵研磨好，过80 目筛、称重备用。 坯体成型：采用轴向加压的干压成型方式，然后冷等静压制备碳化硅陶瓷的
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Web 结果无压烧结碳化硅工艺 无压烧结碳化硅工艺是一种用于制备碳化硅陶瓷材料的方法，它采用高温烧结技 术，将碳化硅粉末在无氧或惰性气体中加热烧结，使粉末颗粒之间发 无压烧结碳化硅生产工艺流程合集 - 百度文库Web 结果无压烧结碳化硅工艺 无压烧结碳化硅工艺是一种用于制备碳化硅陶瓷材料的方法，它采用高温烧结技 术，将碳化硅粉末在无氧或惰性气体中加热烧结，使粉末颗粒之间发
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Web 结果2020年3月24日 碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。碳化硅粉体合成 高纯碳化硅粉体合成方法研究现状综述Web 结果2020年3月24日 碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。碳化硅粉体合成
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Web 结果2023年10月27日 ( 1) SiC 的合成方法有固相法、液相法和气相法，其中固相法是目前合成高纯 SiC 粉体的主要方法，而液相法如溶胶凝胶法也能制备高纯的碳化硅粉 碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解 ...Web 结果2023年10月27日 ( 1) SiC 的合成方法有固相法、液相法和气相法，其中固相法是目前合成高纯 SiC 粉体的主要方法，而液相法如溶胶凝胶法也能制备高纯的碳化硅粉
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Web 结果2023年5月19日 天科合达发明了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤：将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性 生长SiC晶体用的高纯碳化硅粉料如何制备？-技术-资讯-中国 ...Web 结果2023年5月19日 天科合达发明了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤：将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性
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Web 结果制备高值化的碳化硅陶瓷,对碳化硅微纳米粉体具有不同技术指标要求,制备纯度大于97%,平均粒径D50=1微米以下。 试验首先采用水流分级和高能纳米冲击磨对原 半导体制造用高纯超细碳化硅粉体制备及其陶瓷高值化研究 ...Web 结果制备高值化的碳化硅陶瓷,对碳化硅微纳米粉体具有不同技术指标要求,制备纯度大于97%,平均粒径D50=1微米以下。 试验首先采用水流分级和高能纳米冲击磨对原
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Web 结果我们公司生产的无压烧结碳化硅陶瓷造粒粉，以高纯度亚微米级碳化硅微粉为原料，添加专用脱模剂，经其生产的无压烧结碳化硅陶瓷，具有强度高、硬度高、耐磨损、 碳化硅造粒粉-宁夏北方高科工业有限公司Web 结果我们公司生产的无压烧结碳化硅陶瓷造粒粉，以高纯度亚微米级碳化硅微粉为原料，添加专用脱模剂，经其生产的无压烧结碳化硅陶瓷，具有强度高、硬度高、耐磨损、
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Web 结果本发明公开了一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺,将碳化硅超细粉料和助烧剂,分散剂,粘结剂,水等按照比例加入到卧式球磨机内研磨,利用喷雾干燥塔进行干燥处理,得到 一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺 - 百度学术Web 结果本发明公开了一种无压烧结碳化硅的挤出成型工艺,将碳化硅超细粉料和助烧剂,分散剂,粘结剂,水等按照比例加入到卧式球磨机内研磨,利用喷雾干燥塔进行干燥处理,得到
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Web 结果无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. 7小结17. 1前言. 碳化硅（SiC）在自然界中几乎不存在，所以SiC是人工合成材料。. 随后在陨石中偶然发现SiC化合物的存在。. 1893年美国人Acheson首先用SiO2碳还原法（SiO2+3C=SiC+2CO (g)）人工合成SiC粉末，该法至今仍是碳化硅 ... 无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. - 百度文库Web 结果无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. 7小结17. 1前言. 碳化硅（SiC）在自然界中几乎不存在，所以SiC是人工合成材料。. 随后在陨石中偶然发现SiC化合物的存在。. 1893年美国人Acheson首先用SiO2碳还原法（SiO2+3C=SiC+2CO (g)）人工合成SiC粉末，该法至今仍是碳化硅 ...
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Web 结果2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 ... 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 - 知乎Web 结果2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 ...
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Web 结果有研究在2050℃和 SiC+1%B4C+ 3%C体 系热压保温45工艺条件下，密度达到理论 致密度的98.75% 。由于热压工艺自身的缺点 而无法应用在商业化生产中，因此无压烧结成 了高性能碳化硅陶瓷工业化首选的制备方法。 3、碳化硅烧结反应工艺流程图 1、无 碳化硅陶瓷的制备技术 - 百度文库Web 结果有研究在2050℃和 SiC+1%B4C+ 3%C体 系热压保温45工艺条件下，密度达到理论 致密度的98.75% 。由于热压工艺自身的缺点 而无法应用在商业化生产中，因此无压烧结成 了高性能碳化硅陶瓷工业化首选的制备方法。 3、碳化硅烧结反应工艺流程图 1、无
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Web 结果无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. SiC是共价键材料,很难烧结。. 传统的SiC耐火材料和发热体一般是采用添加硅酸铝质或者高铝质材料作为结合剂来进行烧结,但是致密度不高,强度和其他力学性能也不好。. 经过近一二十年的发展有着以下工艺：〔1反应 ... 无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计 - 百度文库Web 结果无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. SiC是共价键材料,很难烧结。. 传统的SiC耐火材料和发热体一般是采用添加硅酸铝质或者高铝质材料作为结合剂来进行烧结,但是致密度不高,强度和其他力学性能也不好。. 经过近一二十年的发展有着以下工艺：〔1反应 ...
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Web 结果2020年8月27日 SiC陶瓷的制备通常有以下几种方法：. (1)无压烧结. 无压烧结法制备的SiC陶瓷，其致密度通常可达到98%，这主要是因为添加的烧结助剂，如铝溶胶、硅溶胶等，在高温下形成液相促进烧结，从而促进了陶瓷的致密化。. Omori等以氧化物作为烧结助剂，在较低的烧结 ... 碳化硅制备常用的5种方法Web 结果2020年8月27日 SiC陶瓷的制备通常有以下几种方法：. (1)无压烧结. 无压烧结法制备的SiC陶瓷，其致密度通常可达到98%，这主要是因为添加的烧结助剂，如铝溶胶、硅溶胶等，在高温下形成液相促进烧结，从而促进了陶瓷的致密化。. Omori等以氧化物作为烧结助剂，在较低的烧结 ...
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Web 结果无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. SiC有着的化学稳定性好，但SiC本身很容易氧化，在SiC表面形成一层二氧化硅薄膜，进而氧化进程逐步被阻碍。. 高纯度的SiC一般用于制造高性能陶瓷与电热元件，纯度大于98.5％的SiC绝大部分用于制造磨料 无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计 - 百度文库Web 结果无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计. SiC有着的化学稳定性好，但SiC本身很容易氧化，在SiC表面形成一层二氧化硅薄膜，进而氧化进程逐步被阻碍。. 高纯度的SiC一般用于制造高性能陶瓷与电热元件，纯度大于98.5％的SiC绝大部分用于制造磨料
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Web 结果2016年3月13日 其生产工艺流程如图2.1。. 图2.1碳化硅陶防弹片的生产工艺流程图配方计算烧结干燥成型混合配料性能检测原料准备3.1原料配比在特种陶瓷工艺中，配料对制品的性能和以后各道工序影响很大，必须认真进行，否则会带来不可估量的影响。. 本工艺碳化硅陶瓷原料 ... 特种陶瓷课程设计论文无压烧结碳化硅陶瓷防弹片生产工艺 ...Web 结果2016年3月13日 其生产工艺流程如图2.1。. 图2.1碳化硅陶防弹片的生产工艺流程图配方计算烧结干燥成型混合配料性能检测原料准备3.1原料配比在特种陶瓷工艺中，配料对制品的性能和以后各道工序影响很大，必须认真进行，否则会带来不可估量的影响。. 本工艺碳化硅陶瓷原料 ...
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Web 结果2020年12月7日 碳化硅粉末制备的研究现状. 风殇. SiC粉末制作方式可以分为机械粉碎法，液相、气相合成法。. 机械粉碎法还包括行星球磨机，砂磨机，气流法等。. 液相合成法包含沉淀法，溶胶-凝胶法等。. 气相合成法包含物理、化学气相合成法等。. 碳化硅粉末制备的研究现状 - 知乎Web 结果2020年12月7日 碳化硅粉末制备的研究现状. 风殇. SiC粉末制作方式可以分为机械粉碎法，液相、气相合成法。. 机械粉碎法还包括行星球磨机，砂磨机，气流法等。. 液相合成法包含沉淀法，溶胶-凝胶法等。. 气相合成法包含物理、化学气相合成法等。.
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Web 结果2013年4月8日 故本实验采用无压烧结法。. 我国是SiC原料生产大国，又具有广泛的工业和高技术需求，此外由于SiC制品的需求是覆盖整个材料的高、中、低档，有利于产业化和规模化，因此可以进行SiC制品的产业化开发和研制 [3]。. 工艺流程2.1工艺的选择碳化硅陶瓷不仅具有 ... 无压烧结碳化硅陶瓷防弹片的生产工艺设计 - 豆丁网Web 结果2013年4月8日 故本实验采用无压烧结法。. 我国是SiC原料生产大国，又具有广泛的工业和高技术需求，此外由于SiC制品的需求是覆盖整个材料的高、中、低档，有利于产业化和规模化，因此可以进行SiC制品的产业化开发和研制 [3]。. 工艺流程2.1工艺的选择碳化硅陶瓷不仅具有 ...
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Web 结果2023年3月28日 无压烧结碳化硅密度可达3.10 g/cm^3~3.18 g/cm^3，弹性模量410GPa~450GPa，弯曲强度400MPa~550MPa。 3，热压烧结SiC(Hot-pressed Silicon Carbide, HP) 热压烧结是将干燥的碳化硅粉料填充进高强石墨模具内，在升温的同时施加一个轴向压力，在合适的压力-温度-时间工艺条件控制下，实现碳化硅的烧结成型。 陶瓷3D打印——碳化硅烧结技术 - 知乎Web 结果2023年3月28日 无压烧结碳化硅密度可达3.10 g/cm^3~3.18 g/cm^3，弹性模量410GPa~450GPa，弯曲强度400MPa~550MPa。 3，热压烧结SiC(Hot-pressed Silicon Carbide, HP) 热压烧结是将干燥的碳化硅粉料填充进高强石墨模具内，在升温的同时施加一个轴向压力，在合适的压力-温度-时间工艺条件控制下，实现碳化硅的烧结成型。
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Web 结果2019年5月27日 4.再结晶碳化硅. 碳化硅粉料中不加添加剂，直接将成型的毛坯在2000℃以上的温度烧结，其主要的烧结机理为蒸发凝聚。. 烧结时无体积变化，收缩很小，气孔率较高 (20% )，强度较低 碳化硅材料的多种生产方法 - 知乎Web 结果2019年5月27日 4.再结晶碳化硅. 碳化硅粉料中不加添加剂，直接将成型的毛坯在2000℃以上的温度烧结，其主要的烧结机理为蒸发凝聚。. 烧结时无体积变化，收缩很小，气孔率较高 (20% )，强度较低
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Web 结果2018年2月22日 四、碳化硅的制备方法4.1碳化硅粉料的制备4.1.1SiO2-C工业上按下列反应式利用高纯度石英砂和焦炭或石油焦在电阻炉内生产4.2碳化硅陶瓷的制备SiC很难烧结,其晶界能与表面能之比很高,同时SiC烧结时扩散速率很低,它表面的氧化膜也起扩散势垒的作用,因此SiC需借助 ... 碳化硅的制备(3篇) - 豆丁网Web 结果2018年2月22日 四、碳化硅的制备方法4.1碳化硅粉料的制备4.1.1SiO2-C工业上按下列反应式利用高纯度石英砂和焦炭或石油焦在电阻炉内生产4.2碳化硅陶瓷的制备SiC很难烧结,其晶界能与表面能之比很高,同时SiC烧结时扩散速率很低,它表面的氧化膜也起扩散势垒的作用,因此SiC需借助 ...
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Web 结果无压烧结碳化硅 无压烧结碳化硅是一种新兴陶瓷材料，具有高温、耐磨、耐腐蚀、 耐氧化等优良性能。它通过无压烧结工艺制备而成，可以制备出不同 形状、不同尺寸的产品，广泛应用于钢铁、冶金、化工、电力等行业 中的高温、高压、腐蚀等恶劣环境下的设 无压烧结碳化硅合集 - 百度文库Web 结果无压烧结碳化硅 无压烧结碳化硅是一种新兴陶瓷材料，具有高温、耐磨、耐腐蚀、 耐氧化等优良性能。它通过无压烧结工艺制备而成，可以制备出不同 形状、不同尺寸的产品，广泛应用于钢铁、冶金、化工、电力等行业 中的高温、高压、腐蚀等恶劣环境下的设
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Web 结果2023年6月5日 目前，碳化硅陶瓷的烧结工艺包括反应烧结、热压烧结、热等静压烧结及无压烧结等。 1. 反应烧结：反应烧结是一种近净尺寸制造技术，其工艺简单，成本较低，可以在1450~1600℃的较低温度与较短的时间内通过渗硅反应实现碳化硅的烧结，可以制备大尺寸、形状复杂的部件。 碳化硅防弹陶瓷的性能及核心生产工艺 - 知乎Web 结果2023年6月5日 目前，碳化硅陶瓷的烧结工艺包括反应烧结、热压烧结、热等静压烧结及无压烧结等。 1. 反应烧结：反应烧结是一种近净尺寸制造技术，其工艺简单，成本较低，可以在1450~1600℃的较低温度与较短的时间内通过渗硅反应实现碳化硅的烧结，可以制备大尺寸、形状复杂的部件。
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Web 结果2022年10月31日 在现有的制备碳化硅陶瓷的方法中，热压烧结制备的碳化硅陶瓷的性能优良，但热压烧结成本高且难以制备复杂形状的碳化硅陶瓷。 相对于热压烧结技术，无压烧结制备的碳化硅陶瓷的致密性稍有逊色，但是，无压烧结可制备复杂形状且厚度较大的碳化硅陶瓷制品，生产成本相对较低。 碳化硅粉 - 知乎Web 结果2022年10月31日 在现有的制备碳化硅陶瓷的方法中，热压烧结制备的碳化硅陶瓷的性能优良，但热压烧结成本高且难以制备复杂形状的碳化硅陶瓷。 相对于热压烧结技术，无压烧结制备的碳化硅陶瓷的致密性稍有逊色，但是，无压烧结可制备复杂形状且厚度较大的碳化硅陶瓷制品，生产成本相对较低。
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Web 结果2021年2月7日 碳化硅坯体热（等静）压烧结工艺流程图 热压烧结工艺简单，制品的致密度高，可达理论密度的99%以上。 由于热压烧结的温度较低，从而抑制了晶粒的生长，所得烧结体晶粒较细，强度较高。但热压烧结设备复杂，模具材料要求高，生产工艺要求严格，只适合制备简单形状的零件，且能源消耗较大 ... 无压烧结碳化硅 - 百家号Web 结果2021年2月7日 碳化硅坯体热（等静）压烧结工艺流程图 热压烧结工艺简单，制品的致密度高，可达理论密度的99%以上。 由于热压烧结的温度较低，从而抑制了晶粒的生长，所得烧结体晶粒较细，强度较高。但热压烧结设备复杂，模具材料要求高，生产工艺要求严格，只适合制备简单形状的零件，且能源消耗较大 ...
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Web 结果2023年6月5日 目前，碳化硅陶瓷的烧结工艺包括反应烧结、热压烧结、热等静压烧结及无压烧结等。 1. 反应烧结：反应烧结是一种近净尺寸制造技术，其工艺简单，成本较低，可以在1450~1600℃的较低温度与较短的时间内通过渗硅反应实现碳化硅的烧结，可以制备大尺寸、形状复杂的部件。 碳化硅防弹陶瓷的性能及核心生产工艺 - 知乎Web 结果2023年6月5日 目前，碳化硅陶瓷的烧结工艺包括反应烧结、热压烧结、热等静压烧结及无压烧结等。 1. 反应烧结：反应烧结是一种近净尺寸制造技术，其工艺简单，成本较低，可以在1450~1600℃的较低温度与较短的时间内通过渗硅反应实现碳化硅的烧结，可以制备大尺寸、形状复杂的部件。
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Web 结果无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计. 中国是碳化硅（SiC）的生产大国和出口大国，2009 年碳化硅总产量达 53.5 万吨左右， 占全球总数的 56.3%，居世界第一。. 我们预计，2010 年截止 9 月份仅绿碳化硅产量就将达到 80 万吨。. 碳化硅行业产量大，但 无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计 - 百度文库Web 结果无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计. 中国是碳化硅（SiC）的生产大国和出口大国，2009 年碳化硅总产量达 53.5 万吨左右， 占全球总数的 56.3%，居世界第一。. 我们预计，2010 年截止 9 月份仅绿碳化硅产量就将达到 80 万吨。. 碳化硅行业产量大，但
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Web 结果2017年12月5日 钱承敬1 ,陆有军2. 北京低碳清洁能源研究所,北京102211. 北方民族大学 材料科学与工程学院,银川750021. 摘要:本研究采用自蔓延合成β-SiC粉体,添加硼、碳烧结助剂,在不同的烧结温度下,经过无压烧结制备了碳化硅陶瓷。. 测试了试样密度、烧失率及收缩率,分析研究 ... 自蔓延合成 β-SiC 粉制备碳化硅陶瓷Web 结果2017年12月5日 钱承敬1 ,陆有军2. 北京低碳清洁能源研究所,北京102211. 北方民族大学 材料科学与工程学院,银川750021. 摘要:本研究采用自蔓延合成β-SiC粉体,添加硼、碳烧结助剂,在不同的烧结温度下,经过无压烧结制备了碳化硅陶瓷。. 测试了试样密度、烧失率及收缩率,分析研究 ...
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Web 结果2013年4月8日 热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的碳化硅材料,其高温强度可一直维持到1600，是陶瓷材料中高温强度最好的材料。 因而是制造密封环的理想材料。 它与石墨材料组合配对时，其摩擦系数比氧化铝陶瓷和硬质合金小，因而可用于高PV值，特别是输送强酸、强碱的工况中使用。 无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计 - 豆丁网Web 结果2013年4月8日 热压烧结、无压烧结、热等静压烧结的碳化硅材料,其高温强度可一直维持到1600，是陶瓷材料中高温强度最好的材料。 因而是制造密封环的理想材料。 它与石墨材料组合配对时，其摩擦系数比氧化铝陶瓷和硬质合金小，因而可用于高PV值，特别是输送强酸、强碱的工况中使用。
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